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Change Row Address

发表时间:2024-02-14 发表人:兵哥 评论数:0
在NAND Flash操作中,"Change Row Address"通常用于指定需要读取或编程(写入)的页面(page)地址。而在一些NAND Flash设备上,可能会有命令允许在不完全重发整个命令序列的情况下更改行(row)地址。然而,需要注意的是,这种操作并不像"Change Read Column"或"Change Write Column"那样常见

通常情况下,如果需要更改行地址,控制器会发送一系列命令去指定新的页面以进行读取或写入。如需要对非序列行地址进行操作,每次操作可能都需要发送完整的命令序列,包括新的行地址。

标准的页面读取或编程序列包括发送命令码、行地址和列地址,这取决于NAND Flash芯片的具体协议。在大多数情况下,更改行意味着开始读取或编程另一个页面。

下面提供一个伪代码示例,展示如何发送一个新的页面地址来读取或编程新页:


#define READ_PAGE_COMMAND 0x00 // 例:用于读取页面的命令码
#define PROGRAM_PAGE_COMMAND 0x80 // 例:用于编程页面的命令码

void send_row_address(int row_address) {
    send_nand_address((row_address) & 0xFF); // 发送行地址的低位字节
    send_nand_address((row_address >> 8) & 0xFF); // 发送中位字节
    send_nand_address((row_address >> 16) & 0xFF); // 发送高位字节(如果需要)

    // 行地址可能还需要更多字节,这取决于NAND Flash的规模
}

void read_new_page(int row_address) {
    // 发送读取页面命令
    send_nand_command(READ_PAGE_COMMAND);

    // 发送新的行地址
    send_row_address(row_address);

    // 完成读取序列并发送读取确认命令(某些NAND Flash需要)
    // ...

    // 等待设备准备好
    wait_for_device_ready();

    // 读取数据
    read_data_from_nand();
}

void program_new_page(int row_address, const char* data, int data_length) {
    // 发送编程页面命令
    send_nand_command(PROGRAM_PAGE_COMMAND);

    // 发送新的行地址
    send_row_address(row_address);

    // 编写数据到NAND Flash
    write_data_to_nand(data, data_length);

    // 发送编程确认命令并等待编程完成
    // ...

    wait_for_device_ready();
}

// 读取指定地址的页
read_new_page(desired_row_address);

// 编程(写入)指定地址的页
program_new_page(desired_row_address, data_buffer, buffer_length);


正如之前提到的,不是所有NAND Flash都具有独立的 "Change Row Address" 命令,换行通常涉及完整的命令序列。

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